• Patent Title: 基于单光子雪崩二极管探测器的快速荧光寿命成像方法
  • Patent Title (English): Fast fluorescence lifetime imaging method based on single photon avalanche diode detector
  • Application No.: CN201711090809.8
    Application Date: 2017-11-08
  • Publication No.: CN108007584A
    Publication Date: 2018-05-08
  • Inventor: 李鼎徐跃吴仲
  • Applicant: 南京邮电大学
  • Applicant Address: 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号
  • Assignee: 南京邮电大学
  • Current Assignee: 彩芯(海宁)半导体有限公司
  • Current Assignee Address: 314400 浙江省嘉兴市海宁市马桥街道经编八路20号1号楼A区
  • Agency: 南京知识律师事务所
  • Agent 李吉宽
  • Main IPC: G01J11/00
  • IPC: G01J11/00
基于单光子雪崩二极管探测器的快速荧光寿命成像方法
Abstract:
本发明公开了基于单光子雪崩二极管探测器的快速荧光寿命成像方法,该方法利用单光子雪崩二极管作为探测器件,通过离散与混叠复用的探测窗口进行光子采样。通过蒙特卡罗仿真的原理,拟合出荧光衰减曲线,计算出荧光寿命。整个电路工作分为探测的准备阶段、探测阶段和读出阶段。在探测阶段,激光使待测样品荧光激发,利用控制SPAD的工作状态以及门控选通信号控制光子引起的雪崩脉冲的选通来实现离散与混叠混用的窗口探测,并将探测的数据记录下来。本发明利用离散与混叠复用的探测方法能够扩大时间探测窗口法的最佳探测范围,减少了探测误差。在每个像素单元集成了两个计数模块,使其在单次荧光激发后能够采样两组数据,能够有效的提高成像速度。
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