Invention Grant
CN108108848B 缺陷率预测模型的训练方法、装置及系统
失效 - 权利终止
- Patent Title: 缺陷率预测模型的训练方法、装置及系统
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Application No.: CN201711478609.XApplication Date: 2017-12-29
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Publication No.: CN108108848BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 经晶 , 刘倩
- Applicant: 英特尔产品(成都)有限公司 , 英特尔公司
- Applicant Address: 四川省成都市高新技术开发区西区科新路8-1号
- Assignee: 英特尔产品(成都)有限公司,英特尔公司
- Current Assignee: 英特尔产品(成都)有限公司,英特尔公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新技术开发区西区科新路8-1号
- Agency: 北京永新同创知识产权代理有限公司
- Agent 钟胜光
- Main IPC: G06Q10/04
- IPC: G06Q10/04 ; G06Q50/08

Abstract:
本申请提供一种用于训练半导体芯片生产过程中的第一半导体芯片生产装置的缺陷率预测模型的方法,包括:采用逻辑回归模型来从第一半导体芯片生产装置的历史半导体芯片样本数据集中的样本数据的参数集中选择出一种或多种最适合预测参数;以及使用所选择出的一种或多种最适合预测参数的参数值来训练缺陷率预测模型,所述缺陷率预测模型用于预测位于第一半导体芯片生产装置下游的一个或多个第二半导体芯片生产装置所生产出的半导体芯片的缺陷率。利用该方法,可以训练出供在第一半导体芯片生产装置处使用的缺陷率预测模型,由此可以实现在预测出的缺陷率超过预定阈值时,及时对第一半导体芯片生产装置进行缺陷维护处理。
Public/Granted literature
- CN108108848A 缺陷率预测模型的训练方法、装置及系统 Public/Granted day:2018-06-01
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