Invention Grant
- Patent Title: 一种受单片机控制的集成电路的仿真验证方法
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Application No.: CN201711329579.6Application Date: 2017-12-13
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Publication No.: CN108197351BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 徐小倩 , 喻贤坤 , 刘松林 , 樊旭 , 彭斌 , 穆辛 , 王莉 , 李健 , 姜爽 , 孔瀛 , 毛鹤莉 , 王潇潇 , 莫艳图 , 宋奎鑫 , 李卓
- Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- Applicant Address: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- Assignee: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- Current Assignee: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- Current Assignee Address: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- Agency: 中国航天科技专利中心
- Agent 庞静
- Main IPC: G06F30/30
- IPC: G06F30/30 ; G06F115/10

Abstract:
本发明提供了一种受单片机控制的集成电路的仿真验证方法,包括如下步骤:(1)、编写相应的单片机仿真模型,用来模拟单片机;(2)、将该单片机仿真模型与待验证集成电路仿真模型相连,形成顶层测试模块;(3)、编写待测集成电路的单片机测试程序,编译生成可烧录至单片机程序存储器的可执行测试程序;(4)、将可执行测试程序转换成*.memh文件形式;(5)、编写仿真验证测试程序,在仿真验证测试程序中,实例化顶层测试模块,通过$readmemh系统函数,把*.memh文件形式的可执行测试程序加载到单片机仿真模型的程序存储器中;(6)、运行仿真验证测试程序,完成受单片机控制的集成电路仿真验证。本发明提高测试程序的复用性,从而提高了芯片的验证效率。
Public/Granted literature
- CN108197351A 一种受单片机控制的集成电路的仿真验证方法 Public/Granted day:2018-06-22
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