一种基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统及方法
Abstract:
本发明涉及一种基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统及方法。该装置包括铅准直器、HPGe探测器以及特定靶片;所述铅准直器、特定靶片依次设置在待测脉冲γ射线的束流方向上;所述HPGe探测器位于待测脉冲γ射线的一侧且HPGe探测器与束流方向之间的夹角为90°‑120°;特定靶片包括多种靶材料叠加而成,且每一种靶材料的能级均位于待测脉冲γ射线的能量范围内。该方法包括:1)利用HPGe探测器探测待测脉冲γ射线核共振荧光过程中出射的光子数R;2)计算光子数密度;3)将光子数密度通过高斯拟合得到待测脉冲γ射线的能谱分布图。本发明的应用不仅使得脉冲γ射线能谱测量实验设置简单,后期计算简单并且测量精度高。
Patent Agency Ranking
0/0