Invention Publication
- Patent Title: 一种单粒子加固的可编程双倍数据率寄存器电路及控制方法
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Application No.: CN201810139176.3Application Date: 2018-02-11
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Publication No.: CN108335708APublication Date: 2018-07-27
- Inventor: 陈雷 , 倪劼 , 李琦 , 孙华波 , 王文锋 , 郭琨 , 孙健爽 , 刘亚泽 , 钱涛涛
- Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- Applicant Address: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- Assignee: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- Current Assignee: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- Current Assignee Address: 北京市丰台区东高地四营门北路2号
- Agency: 中国航天科技专利中心
- Agent 胡健男
- Main IPC: G11C7/10
- IPC: G11C7/10 ; G11C7/24

Abstract:
一种单粒子加固的可编程双倍数据率寄存器电路及控制方法,通过对传统锁存器采用双冗余互锁结构的电路实现寄存器存储单元的单粒子加固设计,在此基础上通过加入时钟产生电路、数据多路器和数据保持电路,来控制多个双冗余互锁结构寄存器时序能够实现多种模式的双倍数据率寄存器功能。本发明单粒子加固指标比传统寄存器提高三个数量级,并且可以实现电平锁存器、单倍数据率边沿触发器、反沿模式双倍数据率边沿触发器和同沿模式双倍数据率边沿触发器等可编程功能,使用户在使用可编程用户寄存器时具有更高的灵活性、更好的时序性能和极高的抗单粒子加固指标。
Public/Granted literature
- CN108335708B 一种单粒子加固的可编程双倍数据率寄存器电路及控制方法 Public/Granted day:2021-04-13
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