Invention Publication
- Patent Title: 一种CMOS全集成近零功耗温度传感器
- Patent Title (English): CMOS fully integrated near zero power consumption temperature sensor
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Application No.: CN201810237184.1Application Date: 2018-03-21
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Publication No.: CN108489625APublication Date: 2018-09-04
- Inventor: 范世全 , 张芮 , 董军 , 苟伟 , 赵洋 , 耿莉
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 徐文权
- Main IPC: G01K1/20
- IPC: G01K1/20

Abstract:
本发明公开了一种CMOS全集成近零功耗温度传感器,包括PTAT感温元件、CWT感温元件、第一电压-电流转换器、第二电压-电流转换器、第一偏置发生器、第二偏置发生器、第一环形振荡器、第二环形振荡器及计数器;其中,计数器包括启动电路、CWT计数器及PTAT计数器;所述第一电压-电流转换器及第二电压-电流转换器均包括电源、运算放大器、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第二PMOS管、第一PMOS管及第二NMOS管,该传感器功耗及成本较低,并且芯片面积较小。
Public/Granted literature
- CN108489625B 一种CMOS全集成近零功耗温度传感器 Public/Granted day:2019-10-11
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