Invention Grant
CN108505213B 一种氨基石墨烯/聚偏氟乙烯压电纳米电纺膜的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种氨基石墨烯/聚偏氟乙烯压电纳米电纺膜的制备方法
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Application No.: CN201810455457.XApplication Date: 2018-05-14
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Publication No.: CN108505213BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 何富安 , 林杰赐 , 林悦凤
- Applicant: 广东石油化工学院
- Applicant Address: 广东省茂名市官渡二路139号大院
- Assignee: 广东石油化工学院
- Current Assignee: 广东石油化工学院
- Current Assignee Address: 广东省茂名市官渡二路139号大院
- Agency: 茂名市穗海专利事务所
- Agent 李好琚
- Main IPC: D04H1/4382
- IPC: D04H1/4382 ; D04H1/728 ; D01D5/00 ; D01F1/10 ; D01F6/48

Abstract:
本发明提供了一种氨基石墨烯/聚偏氟乙烯压电纳米电纺膜的制备方法,属于功能材料领域。通过静电纺丝技术制备了氨基石墨烯/聚偏氟乙烯压电纳米电纺膜。与纯聚偏氟乙烯压电纳米电纺膜相比,由于氨基石墨烯的存在能够通过界面诱导作用促进聚偏氟乙烯生成更多的极性β晶型,所以有效提高了氨基石墨烯/聚偏氟乙烯电纺膜的压电性能。本发明提供的制备方法工艺简单,易于操作,所得电纺膜具有柔韧性好、密度小、可裁剪成不同尺寸或复杂形状的薄膜等优点,有望作为传感器、触发器、驱动器、能量捕获器在声学、电子、测量、军事、交通、信息工程、地质勘探等领域得到应用。
Public/Granted literature
- CN108505213A 一种氨基石墨烯/聚偏氟乙烯压电纳米电纺膜的制备方法 Public/Granted day:2018-09-07
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