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Invention Grant
CN108598172B 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法 有权

一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
Abstract:
本发明提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管极其制作方法，通过在薄膜晶体管设置第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层，使部分所述重掺杂区域裸露，通过透明电极使得所述源漏极或第二栅极与部分所述重掺杂区域电性连接，减少了制作接触孔所需的光罩，有效的降低了面板阵列制造过程中的周期，节省了制作成本。
Abstract(English):

Provided are a low-temperature polysilicon thin film transistor and a manufacturing method thereof. A first contact hole and a second contact hole are provided at a thin film transistor. The first contact hole and the second contact hole pass through a third insulation layer, a second insulation layer, and a portion of a first insulation layer, such that a portion of a heavily doped region is exposed, and a transparent electrode electrically connects a source and a drain or a second gate to the portion of the heavily doped region.

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
Patent Agency Ranking
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