Invention Grant
- Patent Title: 一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法
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Application No.: CN201710174961.8Application Date: 2017-03-22
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Publication No.: CN108627865BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 张斌全 , 孙莹 , 张鑫 , 常峥 , 张珅毅 , 荆涛 , 梁金宝 , 孙越强
- Applicant: 中国科学院国家空间科学中心
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村南二条1号
- Assignee: 中国科学院国家空间科学中心
- Current Assignee: 中国科学院国家空间科学中心
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村南二条1号
- Agency: 北京方安思达知识产权代理有限公司
- Agent 王宇杨; 杨青
- Main IPC: G01T1/02
- IPC: G01T1/02 ; G01T7/00

Abstract:
本发明提供了一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法,该方法通过空间辐射剂量仪在轨实测的RADFET传感器阈值电压数据和环境温度数据,得到该传感器的阈值电压与温度变化之间的关系曲线,从而去除RADFET温度效应给空间辐射剂量探测带来的影响,计算出各时刻RADFET传感器仅受空间辐射影响所引起的阈值电压,并最终由定标曲线得到空间辐射的累积剂量,本发明的方法不需要进行传感器的地面温度试验,避免了不同传感器温度效应差别所带来的影响,该方法能够简单有效地修正RADFET传感器阈值电压。
Public/Granted literature
- CN108627865A 一种修正空间辐射剂量仪传感器的温度效应的方法 Public/Granted day:2018-10-09
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