Invention Grant
- Patent Title: 一种常压下曲面基底的原子层沉积薄膜制备设备
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Application No.: CN201810503730.1Application Date: 2018-05-23
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Publication No.: CN108754456BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 陈蓉 , 黄奕利 , 单斌 , 李云 , 曹坤 , 但威 , 王晓雷
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 梁鹏; 曹葆青
- Main IPC: C23C16/455
- IPC: C23C16/455 ; C23C16/52

Abstract:
本发明属于微纳制造相关设备领域,并公开了一种常压下曲面基底的原子层沉积薄膜制备设备,它包括喷头模块及对应配备的液压传动模块,其中该喷头模块用于对基底进行原子层沉积,具有空间隔离的作用,并且四周的气浮区可以帮助喷头在经过曲面时改变方向达到曲面沉积的作用;该液压传动模块通过转阀来实时获取喷头转动角度的信息,并通过改变进出油口的相对连接位置而使得喷头总体上升或者下降或者保持不动。通过本发明,能够可获得一种开放式、具有自调整功能的原子层沉积薄膜制备设备,其不仅可在常温常压下即可执行各类曲面沉积操作,而且喷头能够根据曲面曲率的不同而快速改变角度及升降运动,进而与现有设备相比可显著提高作业效率和适用性。
Public/Granted literature
- CN108754456A 一种常压下曲面基底的原子层沉积薄膜制备设备 Public/Granted day:2018-11-06
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IPC分类: