Invention Grant
- Patent Title: 一种大规模有限周期阵列结构特征模式分析方法
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Application No.: CN201810720625.3Application Date: 2018-07-02
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Publication No.: CN108959772BPublication Date: 2022-09-23
- Inventor: 程光尚 , 黄志祥 , 方明 , 牛凯坤 , 赵冉 , 任信钢 , 张华永
- Applicant: 安徽大学
- Applicant Address: 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号
- Assignee: 安徽大学
- Current Assignee: 安徽大学
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号
- Agency: 合肥国和专利代理事务所
- Agent 张祥骞
- Main IPC: G06F30/20
- IPC: G06F30/20 ; G06F30/10
Abstract:
本发明涉及一种大规模有限周期阵列结构特征模式分析方法，与现有技术相比解决了特征模式分析方法无法适用于大规模有限周期阵列结构的缺陷。本发明包括以下步骤：大规模有限周期阵列结构的几何建模和剖分；对参考单元建立基于电场积分方程的特征值方程；整个大规模有限周期阵列结构特征模式的计算。本发明能显著减少周期阵列的矩阵特征方程的未知量数目，并大幅度减少所需的计算内存以及计算时间。
Public/Granted literature
- CN108959772A 一种大规模有限周期阵列结构特征模式分析方法 Public/Granted day:2018-12-07
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