一种射频过渡组件(300)，所述射频过渡组件用于实现电子器件的射频传输层(301)和电连接(317)至所述射频传输层(301)的导体(309)之间的射频过渡。所述导体(309)大体垂直于所述射频传输层(301)延伸。所述组件包括位于所述射频传输层的边缘附近的开口式同轴结构(313)。所述开口式同轴结构(313)包括延伸穿过其中的空腔(315)以用于容纳所述导体(309)。所述空腔(315)包括面向所述射频传输层(301)的边缘的开口，以便引导电磁辐射朝向所述射频传输层(301)。