本发明公开了一种提高读写稳定性的存储单元电路与存储装置，其中，所述提高读写稳定性的存储单元电路包括第一反相器、第二反相器、开关模块和放电控制模块；所述第一反相器和第二反相器交叉耦合，所述开关模块连接在第一反相器和第二反相器之间，用于在进行写操作时关闭，切断所述第一反相器和第二反相器的交叉耦合，在进行保持操作和读操作时开启，使所述第一反相器和第二反相器重新交叉耦合连接形成正反馈；所述放电控制模块与位线连接，用于在进行读操作时对位线进行放电。通过开关模块在写操作过程中切断交叉耦合反相器的正反馈作用，减弱数据保存能力，提高数据写入能力，并且采用读写分离结构使得读写稳定性大大提高。