Invention Grant
- Patent Title: 带有阴极单面光栅的顶发射OLED器件及其制备方法
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Application No.: CN201810891389.1Application Date: 2018-08-07
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Publication No.: CN109119548BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 段永青 , 尹周平 , 李禾耕 , 李华阳
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 武汉国创科光电装备有限公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 周磊; 曹葆青
- Main IPC: H01L51/52
- IPC: H01L51/52 ; H01L51/50 ; H01L51/56

Abstract:
本发明属于有机发光二极管领域,并公开了带有阴极单面光栅的顶发射OLED器件的制备方法,包括以下步骤:1)清选基板,再在真空烘箱中加热;2)在基板的上表面沉积金属阳极,之后在金属阳极的上表面沉积有机复合层,再在有机复合层上沉积金属阴极;3)利用电流体喷印溶液在制备的金属阴极的上表面打印光栅;4)利用环氧树脂围住有机复合层,并且环氧树脂将玻璃盖板与基板粘合在一起从而完成封装。本发明提出的带有阴极单面光栅的TEOLED器件及其制备方法,不仅保持了平面器件优良的导电性能和微腔效应,而且可以激发表面等离子体激元耦合出光,大幅提高出光效率,该光栅的制备方法可以大面积、阵列化制备,有利于实现工业化生产。
Public/Granted literature
- CN109119548A 带有阴极单面光栅的顶发射OLED器件及其制备方法 Public/Granted day:2019-01-01
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IPC分类: