Invention Grant
- Patent Title: 一种基于发泡法的AlN-SiC多孔复合陶瓷及其制备方法
-
Application No.: CN201811229600.XApplication Date: 2018-10-22
-
Publication No.: CN109133986BPublication Date: 2021-02-19
- Inventor: 余超 , 邢广超 , 丁军 , 邓承继 , 祝洪喜
- Applicant: 武汉科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- Assignee: 武汉科技大学
- Current Assignee: 赛斯探索(湖北)新材料科技有限公司
- Current Assignee Address: 435000 湖北省黄石市大冶市灵乡镇灵成工业园远华路2号
- Agency: 武汉科皓知识产权代理事务所
- Agent 张火春
- Main IPC: C04B38/10
- IPC: C04B38/10 ; C04B35/581 ; C04B35/565

Abstract:
本发明涉及一种基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷及其制备方法。其技术方案是:按Al4SiC4粉∶去离子水的质量比为1∶(0.15~0.3)配料,搅拌,得到Al4SiC4浆料。再按所述Al4SiC4粉∶泡沫稳定剂∶发泡剂∶表面活性剂的质量比为1∶(0.01~0.025)∶(0.0125~0.025)∶(0.01~0.02),将泡沫稳定剂、发泡剂和表面活性剂混合,加入去离子水,搅拌,得到泡沫。将泡沫倒入Al4SiC4浆料中,搅拌,于模具中静置,干燥,脱模,在氮气气氛和1200~1500℃保温60~300min,冷却,即得基于发泡法的AlN‑SiC多孔复合陶瓷。本发明具有工艺简单和制备温度低的特点,所制备的AlN‑SiC多孔复合陶瓷局部化学成分均匀、机械强度高和生成的AlN晶须尺寸可控。
Public/Granted literature
- CN109133986A 一种基于发泡法的AlN-SiC多孔复合陶瓷及其制备方法 Public/Granted day:2019-01-04
Information query