Invention Grant
- Patent Title: 一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法
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Application No.: CN201810797632.3Application Date: 2018-07-19
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Publication No.: CN109161849BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 宋忠孝 , 陈东圳 , 井津域 , 黄剑 , 杨波 , 钱旦
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 苏州博志金钻科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 姚咏华
- Main IPC: C23C14/16
- IPC: C23C14/16 ; C23C14/35 ; C23C14/54

Abstract:
本发明提供一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法,采用磁控溅射沉积银、钽复合薄膜,将清洗干净的单晶硅片真空下并沉积铬膜;然后控制电流强度,分别精确调控银、钽元素沉积速率,维持腔室反应压力,持续溅射沉积,钽元素封堵银在沉积过程中形成的间隙,在适当的银、钽元素沉积速率下形成银钽复合材料构建的有序多孔阵列。随着钽沉积速率的增加,薄膜表面孔状阵列会被钽元素大量封堵,进一步形成更为光滑的薄膜表面形貌。本发明所制备的银钽复合材料有序多孔阵列制备过程简单,比表面积大,便于大面积生长,成本低,薄膜表面无有机化合物污染,能广泛应用于SERS传感、金属催化、纳米探针、光电器件、太阳能电池,吸附材料等领域。
Public/Granted literature
- CN109161849A 一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法 Public/Granted day:2019-01-08
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