Invention Grant
- Patent Title: 一种SiCP增强镁基复合材料的制备方法
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Application No.: CN201811130809.0Application Date: 2018-09-27
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Publication No.: CN109266894BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 郝玺 , 郝维新 , 张洁瑞 , 耿桂宏 , 李玉贵
- Applicant: 太原科技大学
- Applicant Address: 山西省太原市万柏林区瓦流路66号
- Assignee: 太原科技大学
- Current Assignee: 太原科技大学
- Current Assignee Address: 山西省太原市万柏林区瓦流路66号
- Agency: 太原市科瑞达专利代理有限公司
- Agent 王思俊
- Main IPC: C22C1/10
- IPC: C22C1/10 ; C22C1/03 ; C22C23/00 ; C22C32/00

Abstract:
一种SiCP增强镁基复合材料的制备方法,属于镁基复合材料技术领域。其特征是按以下步骤进行:一、将氮化硼坩埚放置在高频感应炉的真空箱体内,氮化硼坩埚与钼电极相连,氮化硼坩埚内装有16mm×16mm×30mm的镁合金样品件,镁合金上表面放置表面镀有一层厚度为0.095μm薄铜、颗粒度为10μm的SiCp;二、用高频感应炉对真空环境下的样品进行加热至700℃,使样品件全部熔化;三、对金属熔体进行保温处理,保温时间为10min;四、待保温时间结束后,对保温后的金属熔体施加电脉冲,作用时间为10min。优点是工艺高效可靠,可以获得更均匀的组织,并可以对SiCP的颗粒度以及体积分数量进行调控,可实现工业化生产。
Public/Granted literature
- CN109266894A 一种SiCP增强镁基复合材料的制备方法 Public/Granted day:2019-01-25
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