Invention Grant
- Patent Title: 一种高纯二氧化锗的制备方法
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Application No.: CN201811398996.0Application Date: 2018-11-22
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Publication No.: CN109437284BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 陈建国 , 聂玉
- Applicant: 衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司
- Applicant Address: 湖南省衡阳市石鼓区松木经济开发区上倪路9号
- Assignee: 衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司
- Current Assignee: 湖南恒光化工有限公司
- Current Assignee Address: 湖南省衡阳市石鼓区松木经济开发区上倪路9号
- Main IPC: C01G17/02
- IPC: C01G17/02

Abstract:
本发明公开了一种高纯二氧化锗的制备方法,步骤如下:以普通二氧化锗为原料,将其缓慢加入到水中与水反应,反应产物干燥后得到二氧化锗粉体;将二氧化锗粉体在真空条件下进行熔化,得到二氧化锗液体;二氧化锗液体直接倒入到600‑700℃的模具中,恒温,然后逐渐冷却到300‑400℃,恒温,再冷却至室温,得到二氧化锗锭;二氧化锗锭放入加热装置中,先缓慢升温至1200‑1250℃,恒温,再缓慢降温至600℃‑800℃,恒温,再降温至常温得到高纯二氧化锗。采用上述方法得到的高纯二氧化锗的纯度达到99.9999%以上,并且含氯量低于0.004%,整个过程中不需要加入化学试剂,对环境无污染,操作简便,生产成本低。
Public/Granted literature
- CN109437284A 一种高纯二氧化锗的制备方法 Public/Granted day:2019-03-08
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IPC分类: