Invention Publication
- Patent Title: 用于测量半导体参数的设备、技术和目标设计
- Patent Title (English): Apparatus, techniques, and target designs for measuring semiconductor parameters
-
Application No.: CN201811326714.6Application Date: 2015-05-11
-
Publication No.: CN109632819APublication Date: 2019-04-16
- Inventor: N·沙皮恩 , A·V·舒杰葛洛夫 , S·潘戴夫
- Applicant: 科磊股份有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 科磊股份有限公司
- Current Assignee: 科磊股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 张世俊
- Priority: 61/991,857 20140512 US 14/708,058 20150508 US
- Main IPC: G01N21/93
- IPC: G01N21/93 ; G01N21/95 ; G01N21/956

Abstract:
本揭露涉及用于测量半导体参数的设备、技术和目标设计。在一个实施例中,揭示了用于确定目标的参数的设备及方法。提供了一种具有成像结构及散射测量结构的目标。利用计量工具的成像通道获得所述成像结构的图像。还利用所述计量工具的散射测量通道从所述散射测量结构获得散射测量信号。基于所述图像及所述散射测量信号两者确定所述目标的至少一个参数,例如叠对误差。
Public/Granted literature
- CN109632819B 用于测量半导体参数的设备、技术和目标设计 Public/Granted day:2021-04-13
Information query