Invention Publication
CN109655667A 刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置
无效 - 驳回
- Patent Title: 刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置
- Patent Title (English): Method and device for testing silicon chip edge resistance after etching
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Application No.: CN201811536491.6Application Date: 2018-12-14
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Publication No.: CN109655667APublication Date: 2019-04-19
- Inventor: 高凤海 , 费正洪 , 李栋
- Applicant: 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
- Applicant Address: 江苏省盐城市阜宁县经济开发区协鑫大道88号
- Assignee: 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团有限公司
- Current Assignee: 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团股份有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省盐城市阜宁县经济开发区协鑫大道88号
- Agency: 北京品源专利代理有限公司
- Agent 孟金喆
- Main IPC: G01R27/02
- IPC: G01R27/02 ; G01R31/26

Abstract:
本发明实施例提供的一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置,该方法通过在刻蚀后硅片的前表面的测试点输入预设电信号,并在背离前表面的背表面的测试点获取输出的电信号,以根据预设电信号和输出的电信号,计算出刻蚀后硅片的边缘电阻。本发明实施例提供的一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置,能够对所有刻蚀后的硅片进行测试,提高测试效率和测试数据的准确度,进而提高生产效率和产品良率。
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