Invention Publication
- Patent Title: 高红外线穿透率结构及移动终端
- Patent Title (English): Structure with high infrared penetration rate, and mobile terminal
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Application No.: CN201811571222.3Application Date: 2018-12-21
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Publication No.: CN109688248APublication Date: 2019-04-26
- Inventor: 任陈铭 , 林仲宏 , 陈柏林 , 黄彦衡
- Applicant: 业成科技(成都)有限公司 , 业成光电(深圳)有限公司 , 英特盛科技股份有限公司
- Applicant Address: 四川省成都市高新区西区合作路689号
- Assignee: 业成科技(成都)有限公司,业成光电(深圳)有限公司,英特盛科技股份有限公司
- Current Assignee: 业成科技(成都)有限公司,业成光电(深圳)有限公司,英特盛科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区西区合作路689号
- Agency: 成都希盛知识产权代理有限公司
- Agent 杨冬梅; 张行知
- Main IPC: H04M1/02
- IPC: H04M1/02 ; G02B5/20 ; G01V8/10 ; G01S17/08
Abstract:
一种高红外线穿透率结构，其包括基材，以及红外线油墨。基材具有相对的第一表面和第二表面。红外线油墨形成于所述第二表面。所述第一表面以及所述红外线油墨层远离所述第二表面的一侧均暴露于空气中。所述红外线油墨层的折射率介于1.4和1之间。还提供应用上述高红外线穿透率结构的移动终端。
Public/Granted literature
- CN109688248B 高红外线穿透率结构及移动终端 Public/Granted day:2021-04-13
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