Invention Grant
- Patent Title: 一种基于量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器及其应用
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Application No.: CN201910095806.6Application Date: 2019-01-31
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Publication No.: CN109738411BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 付海燕 , 陈亨业 , 王硕 , 佘远斌
- Applicant: 中南民族大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区民族大道708号、823号
- Assignee: 中南民族大学
- Current Assignee: 中南民族大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区民族大道708号、823号
- Agency: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- Agent 刘秋芳; 张秋燕
- Main IPC: G01N21/64
- IPC: G01N21/64

Abstract:
本发明提供了一种基于量子点荧光猝灭的新型仿生阵列传感器,以碲化镉量子点为荧光染料,以不同浓度梯度的不同缓冲溶液为缓冲体系构建阵列传感器。相比于需要多种有机染料为反应点的阵列传感器,本发明仅使用一种量子点,结合不同浓度和类型的缓冲液组成阵列传感器,具有制作简单、成本低廉和容易量产等优点,并能被广泛用于多种富含有机酸样品的鉴别。
Public/Granted literature
- CN109738411A 一种基于量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器及其应用 Public/Granted day:2019-05-10
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