本发明公开了一种用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置，属于功率半导体器件领域。该方法包括：将预先设置的测试电路的预设参数配置为预设的初始值；控制调节预设参数后的测试电路，测得芯片组并联瞬态电流的参考不均匀度；判断参考不均匀度是否满足预设条件；当参考不均匀度满足预设条件时，将参考不均匀度作为芯片组瞬态电流的目标不均匀度；当参考不均匀度不满足预设条件时，按照预设步长调节预设参数，并在间隔第一预设时间后，重复执行控制调节预设参数后的测试电路，测得芯片组的参考不均匀度的步骤，直至所测得的参考不均匀度满足预设条件，将该参考不均匀度作为芯片组并联瞬态电流的目标不均匀度。