Invention Grant
- Patent Title: 含噻吩三芳胺化合物
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Application No.: CN201811347376.4Application Date: 2018-11-13
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Publication No.: CN109836435BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 夏传军
- Applicant: 北京夏禾科技有限公司
- Applicant Address: 北京市门头沟区石龙经济开发区谭园路1号华悦大厦6-8层
- Assignee: 北京夏禾科技有限公司
- Current Assignee: 北京夏禾科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市门头沟区石龙经济开发区谭园路1号华悦大厦6-8层
- Priority: 62/591,163 20171127 US
- Main IPC: C07D495/04
- IPC: C07D495/04 ; C07D519/00 ; H01L51/50 ; H01L51/54
Abstract:
公开了一种含噻吩三芳胺化合物。所述化合物具有三芳胺结构，并连接了特定的含噻吩的基团。所述化合物可用作电致发光器件中的空穴传输材料、空穴注入材料等。与已有的空穴传输材料、空穴注入材料材料相比，这些新型化合物同样能提供优良的器件性能。还公开了一种电致发光器件和化合物配方。
Public/Granted literature
- CN109836435A 含噻吩三芳胺化合物 Public/Granted day:2019-06-04
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