Invention Grant
- Patent Title: C/C、C/SiC复合材料表面钼钛锆构件真空等离子喷涂成形制备方法
-
Application No.: CN201910094886.3Application Date: 2019-01-31
-
Publication No.: CN109852917BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 杨震晓 , 倪立勇 , 曾一兵 , 马康智 , 文波 , 曲栋
- Applicant: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
- Applicant Address: 北京市丰台区南大红门路1号;
- Assignee: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- Current Assignee: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- Current Assignee Address: 北京市丰台区南大红门路1号;
- Agency: 中国航天科技专利中心
- Agent 庞静
- Main IPC: C23C4/134
- IPC: C23C4/134 ; C23C4/06

Abstract:
本发明涉及真空等离子喷涂技术领域,具体涉及一种C/C、C/SiC复合材料表面钼钛锆构件真空等离子喷涂成形制备方法,该涂层结构体系包括复合材料表面碳化物与硅化物预处理层、梯度过渡层和钼钛锆厚涂层。本发明提供了一种具体的C/C、C/SiC复合材料表面钼钛锆构件真空等离子喷涂成形制备技术,包括以下步骤:1)钼钛锆粉体制备;2)复合材料表面预处理;3)梯度过渡层制备;4)真空等离子喷涂成形钼钛锆厚涂层;5)钼钛锆构件致密化与强化。
Public/Granted literature
- CN109852917A C/C、C/SiC复合材料表面钼钛锆构件真空等离子喷涂成形制备方法 Public/Granted day:2019-06-07
Information query
IPC分类: