Invention Grant
- Patent Title: 用于基于GaN晶体管的功率转换器的自举电容器过电压管理电路
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Application No.: CN201780073908.7Application Date: 2017-11-28
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Publication No.: CN110024290BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 大卫·C·罗伊施 , J·格拉泽 , 迈克尔·A·德·鲁伊
- Applicant: 宜普电源转换公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 宜普电源转换公司
- Current Assignee: 宜普电源转换公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京市磐华律师事务所
- Agent 高伟; 卜璐璐
- Priority: 62/428,854 20161201 US
- International Application: PCT/US2017/063442 2017.11.28
- International Announcement: WO2018/102299 EN 2018.06.07
- Date entered country: 2019-05-29
- Main IPC: H03K17/042
- IPC: H03K17/042 ; G05F1/571 ; H02M3/158
Abstract:
用于由增强型GaN晶体管形成的半桥晶体管电路的驱动电路。分流二极管在自举电容器和地之间的节点处连接到自举电容器，分流二极管通过分流电阻器与半桥的中点节点去耦。当半桥的高侧晶体管和低侧晶体管都关断时，分流二极管有利地提供低电压降路径以在死区时间充电时段期间对自举电容器充电。
Public/Granted literature
- CN110024290A 用于基于GaN晶体管的功率转换器的自举电容器过电压管理电路 Public/Granted day:2019-07-16
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IPC分类:
