Invention Grant
- Patent Title: 一种先进的超低功耗的多晶电阻型熔丝电路及方法
-
Application No.: CN201910325408.9Application Date: 2019-04-22
-
Publication No.: CN110070903BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 赵洁 , 张龙 , 王瑾
- Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- Applicant Address: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- Assignee: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- Current Assignee: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- Current Assignee Address: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- Agency: 中国航天科技专利中心
- Agent 胡健男
- Main IPC: G11C17/16
- IPC: G11C17/16 ; G11C17/18

Abstract:
一种先进的超低功耗的多晶电阻型熔丝电路及方法,包括熔丝单元电路,熔丝试写烧调控制逻辑电路。熔丝单元电路含有两个可熔断的多晶电阻,以及控制该电阻熔断的对应开关;熔丝试写烧调控制逻辑电路可实现对熔丝位的试写、回读、熔断等多个功能。通过对熔丝位的控制可以有效的实现多种电路内部需要进行精度,速度,频率等校准或者调整的目的。该熔丝电路和技术可以作为IP核应用于多种电路中,对改善电路的性能,提高电路的应用性具有重要意义,本发明集成了熔丝电路的试写,烧熔等逻辑功能,同时避免了未熔断熔丝电阻存在电流,产生功耗的弊端,有效的解决电路中多熔丝调整点存在大功耗的问题。
Public/Granted literature
- CN110070903A 一种先进的超低功耗的多晶电阻型熔丝电路及方法 Public/Granted day:2019-07-30
Information query