Invention Publication
- Patent Title: 一种确定VFTO对二次设备影响程度的方法
- Patent Title (English): Method for determining degree of influence of VFTO on secondary device
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Application No.: CN201910387910.2Application Date: 2019-05-10
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Publication No.: CN110118906APublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 林莘 , 赵雪 , 郝莎 , 翟文鹏 , 董沅慧 , 李雁
- Applicant: 沈阳工业大学
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- Assignee: 沈阳工业大学
- Current Assignee: 沈阳工业大学
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- Agency: 沈阳东大知识产权代理有限公司
- Agent 李运萍
- Main IPC: G01R31/00
- IPC: G01R31/00

Abstract:
本发明提供一种确定VFTO对二次设备影响程度的方法,涉及变电站二次设备电磁兼容技术领域。本发明步骤如下:步骤1:获取变电站的物理模型,依据多导体传输线理论,结合变电站实际尺寸,利用电磁暂态仿真软件,建立气体绝缘变电站电路模型,得到气体绝缘变电站电路模型中二次设备附近的快速暂态过电压波形;步骤2:根据变电站中待检测的二次设备、GIS导电杆、GIS壳体的实际尺寸,将导电杆、壳体、二次设备连接,利用电磁暂态仿真软件建立三维空间电磁仿真模型,将快速暂态过电压波形输入到该模型中,获得待检测的二次设备受电磁干扰的影响情况。本方法模型简单,直观清晰地反映了VFTO对二次敏感设备影响。
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