Invention Grant
- Patent Title: 一种谐振式磁传感器
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Application No.: CN201910318965.8Application Date: 2019-04-19
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Publication No.: CN110118946BPublication Date: 2020-12-29
- Inventor: 杨晓非 , 刘项力 , 王鲜然 , 陈实 , 欧阳君 , 李家普
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 曹葆青; 李智
- Main IPC: G01R33/032
- IPC: G01R33/032

Abstract:
本发明公开了一种谐振式磁传感器包括谐振单元、磁致伸缩材料、激励测频装置;其中,所述谐振单元包括结构相等且对称连接的两谐振器,各设置有一个正极,共用一个负极,和激励测频装置通过正极、负极相连,不仅可以产生谐振振动,且通过提高其Q值,从而提高谐振式磁传感器的信噪比;在外部磁场的作用下,磁致伸缩材料将产生应力和弹性模量的变化,进而改变谐振单元的工作状态,激励测频装置通过测量谐振器的谐振频率的变化,即可测量外部磁场信号的幅度大小及频率。本发明解决了现有的谐振式传感器因无法抑制系统的低频本征噪声导致输出信号分辨率低问题。
Public/Granted literature
- CN110118946A 一种谐振式磁传感器 Public/Granted day:2019-08-13
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