Invention Grant
- Patent Title: 模拟纳米晶金属累积离位损伤的方法
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Application No.: CN201910276042.0Application Date: 2019-04-08
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Publication No.: CN110120248BPublication Date: 2020-12-25
- Inventor: 李祥艳 , 吴学邦 , 许依春 , 张艳革 , 尤玉伟 , 孔祥山 , 刘伟 , 王先平 , 刘长松 , 方前锋
- Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
- Applicant Address: 安徽省合肥市董铺岛
- Assignee: 中国科学院合肥物质科学研究院
- Current Assignee: 中国科学院合肥物质科学研究院
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市董铺岛
- Agency: 合肥中谷知识产权代理事务所
- Agent 洪玲
- Main IPC: G16C10/00
- IPC: G16C10/00 ; G06F30/20

Abstract:
本发明公开了一种模拟纳米晶金属累积离位损伤的方法,步骤包括基本原子过程MD参数化;基本原子过程OKMC速率列表创建;OKMC调用相应速率,选择、执行事件;表征OKMC粗粒化结构;采样不同剂量下的微结构,并用MD弛豫之;将观察到的原子过程速率化;更新基本原子过程,重新运行OKMC模块。本发明优点在于通过结合原子尺度MD模拟方法和粗粒化OKMC方法,既考虑了基本原子过程,又能实现大尺度模拟,可与实验剂量率相比拟,同时考虑了基本过程累积作用下可能出现的新原子过程;同现有的模拟方法相比,避免了因MD时间尺度有限带来的辐照剂量率异常高的问题,又避免了OKMC在结构弛豫上的不足,兼顾了MD在结构弛豫和OKMC在长时间尺度模拟上的综合优势。
Public/Granted literature
- CN110120248A 模拟纳米晶金属累积离位损伤的方法 Public/Granted day:2019-08-13
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