中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Publication
CN110120368A 形成动态随机存取存储器的方法 有权

形成动态随机存取存储器的方法
Abstract:
本发明公开一种形成动态随机存取存储器的方法，其包含有下述步骤。首先，提供一基底，其中基底包含一存储器区以及一逻辑区。接着，形成一堆叠结构于存储器区的基底上以及一栅极结构于逻辑区的基底上。接续，形成一第一掩模层于堆叠结构以及栅极结构上。续之，进行一致密化制作工艺，致密化第一掩模层。继之，形成一第二掩模层于第一掩模层上。之后，移除第二掩模层的一部分以及第一掩模层的一部分以形成一第一间隙壁于栅极结构的侧壁。
Abstract(English):

The invention discloses a method for forming a dynamic random access memory. The method comprises steps that firstly, a substrate is provided, wherein the substrate includes a memory region and a logic region; then, a stack structure is formed on the substrate of the memory region and a gate structure is formed on the substrate of the logic region; then, a first mask layer is formed on the stackedstructure and the gate structure; a densification manufacturing process is performed to densify the first mask layer, and a second mask layer is formed on the first mask layer; then, a part of the second mask layer and a part of the first mask layer are removed to form a first gap wall on the side wall of the gate structure.

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8242 .........动态随机存取存储结构（DRAM）
Patent Agency Ranking
0/0