Invention Publication
CN110120375A 功率用半导体装置
无效 - 撤回
- Patent Title: 功率用半导体装置
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ELECTRIC POWER
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Application No.: CN201910381937.0Application Date: 2015-05-15
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Publication No.: CN110120375APublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 藤野纯司 , 石原三纪夫 , 新饲雅芳 , 原田启行
- Applicant: 三菱电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 金春实
- Priority: 2014-103985 2014.05.20 JP
- Main IPC: H01L23/488
- IPC: H01L23/488 ; H01L23/28 ; H01L23/31 ; H01L23/373 ; H01L23/48 ; H01L23/498 ; H01L25/07 ; H01L25/18

Abstract:
提供一种功率用半导体装置。具备:陶瓷基板(2);功率用半导体元件(3),在一面形成电极(例如3a、3e),另一面与陶瓷基板(2)接合;引线端子(62),一端侧与电极接合,另一端侧与外部电连接;以及密封体(7),对引线端子(62)的与电极接合的部分以及功率用半导体元件(3)进行密封。在引线端子(62)的一端侧的端部(62e)处,形成随着接近端部(62e)而远离陶瓷基板(2)的倾斜面(62t)。
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