Invention Grant
- Patent Title: 三维半导体存储器件
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Application No.: CN201910103213.XApplication Date: 2019-02-01
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Publication No.: CN110120393BPublication Date: 2024-02-27
- Inventor: 郑恩宅 , 申重植 , 洪祥准
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 张波
- Priority: 10-2018-0015259 2018.02.07 KR
- Main IPC: H10B41/27
- IPC: H10B41/27 ; H10B41/41 ; H10B43/27 ; H10B43/40
Abstract:
一种三维(3D)半导体存储器件包括：源极导电图案，在衬底上并平行于衬底的顶表面延伸；以及电极结构，包括在垂直于衬底的顶表面的第一方向上顺序地堆叠在源极导电图案上的擦除控制栅电极、地选择栅电极、单元栅电极和串选择栅电极。
Public/Granted literature
- CN110120393A 三维半导体存储器件 Public/Granted day:2019-08-13
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