本申请提供了一种存储单元、存储器以及数据写入方法。该存储单元包括：自旋轨道矩提供结构，包括两个自旋轨道矩提供线，分别为第一自旋轨道矩提供线与第二自旋轨道矩提供线，第一自旋轨道矩提供线与第二自旋轨道矩提供线对于相同方向的写入电流产生的自旋电流的自旋极化方向不同；两个存储结构，分别为第一存储结构与第二存储结构，且两个存储结构间隔设置，第一存储结构设置在第一自旋轨道矩提供线的表面上，第二存储结构设置在第二自旋轨道矩提供线的表面上，且各存储结构包括与自旋轨道矩提供线接触设置的自由层。该存储单元的写入速度较快。