Invention Grant
- Patent Title: 一种基于多状态的DPRAM访问方法及系统
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Application No.: CN201910487141.3Application Date: 2019-06-05
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Publication No.: CN110209612BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 董长龙 , 孙福海 , 刘明星 , 张文帅 , 蒋维 , 余波
- Applicant: 中核控制系统工程有限公司
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区宏达南路3号
- Assignee: 中核控制系统工程有限公司
- Current Assignee: 中核控制系统工程有限公司
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区宏达南路3号
- Agency: 成都行之专利代理事务所
- Agent 张超
- Main IPC: G06F13/16
- IPC: G06F13/16 ; G06F9/52

Abstract:
本发明公开了一种基于多状态的DPRAM访问方法,包括:当任意所述控制器需要从接收缓冲区上读取数据时,调取资源状态区中两个缓冲区的状态信息,并从分配矩阵中获取该状态信息对应的操作进行执行。本发明还公开了一种基于多状态的DPRAM访问系统。本发明一种基于多状态的DPRAM访问方法及系统,提供了一种实现了高安全性、高确定性、高鲁棒性的数据通信资源访问方法,设计对应的交换数据状态矩阵完成高效的DPRAM资源访问,使读数据方不会产生非法的数据,且本发明不会另外需要新增电路或其他硬件资源。
Public/Granted literature
- CN110209612A 一种基于多状态的DPRAM访问方法及系统 Public/Granted day:2019-09-06
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