半导体装置及其制造方法

Invention Publication

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Patent Title: 半导体装置及其制造方法
Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Application No.: CN201780087203.0

Application Date: 2017-02-27
Publication No.: CN110326090A

Publication Date: 2019-10-11
Inventor: 角野翼 , 日坂隆行
Applicant: 三菱电机株式会社
Applicant Address: 日本东京
Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee Address: 日本东京
Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
Agent 何立波; 张天舒
International Application: PCT/JP2017/007350 2017.02.27
International Announcement: WO2018/154754 JA 2018.08.30
Date entered country: 2019-08-22
Main IPC: H01L21/338
IPC: H01L21/338 ; H01L29/812

Abstract:

在半导体层(2)之上形成有栅极电极(6)，该栅极电极(6)至少具有最下层(6a)和上层(6b)，该最下层(6a)与半导体层(2)接触，该上层(6b)形成于最下层(6a)之上。上层(6b)向最下层(6a)产生应力而导致最下层(6a)的两端部从半导体层(2)翘起。

Abstract(English):

According to the present invention, a gate electrode (6), which has at least a lowermost layer (6a) contacting a semiconductor layer (2) and an upper layer (6b) formed on the lowermost layer (6a), isformed on the semiconductor layer (2). The upper layer (6b) produces stress on the lowermost layer (6a), and both end sections of the lowermost layer (6a) bend upward from the semiconductor layer (2).

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Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/338	......带有肖特基栅的