Invention Grant
- Patent Title: 具有磁耦合设备的半导体开关
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Application No.: CN201780086476.3Application Date: 2017-02-15
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Publication No.: CN110326218BPublication Date: 2021-01-12
- Inventor: 陈楠 , K·伊尔维斯 , M·纳瓦兹
- Applicant: ABB瑞士股份有限公司
- Applicant Address: 瑞士巴登
- Assignee: ABB瑞士股份有限公司
- Current Assignee: 日立能源有限公司
- Current Assignee Address: 瑞士苏黎世
- Agency: 北京市汉坤律师事务所
- Agent 王菲; 张涛
- International Application: PCT/EP2017/053339 2017.02.15
- International Announcement: WO2018/149489 EN 2018.08.23
- Date entered country: 2019-08-14
- Main IPC: H03K17/0814
- IPC: H03K17/0814 ; H03K17/12 ; H02M7/00 ; H02M7/493 ; H03K17/56

Abstract:
本公开涉及用于电力电子(PE)转换器(1)的半导体开关支路S。开关支路包括多个并联连接的半导体器件Sa‑d。每个半导体器件连接有将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的正极端子的正导体a‑d+、以及将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的负极端子的负导体a‑d‑,半导体器件与正导体和负导体一起形成跨过能量存储设备的电流路径。半导体开关支路包括多个磁耦合设备3a‑d,每个磁耦合设备被布置在多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间,使得两个半导体器件中的一个半导体器件的电流路径与两个半导体器件中的另一半导体器件的电流路径穿过磁耦合设备,并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。
Public/Granted literature
- CN110326218A 具有磁耦合设备的半导体开关 Public/Granted day:2019-10-11
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IPC分类: