Invention Grant
- Patent Title: 一种三通硅基分束器芯片及其制造方法
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Application No.: CN201910944669.9Application Date: 2019-09-30
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Publication No.: CN110646883BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 曾和平 , 冯吉军 , 吴昕耀
- Applicant: 华东师范大学重庆研究院 , 上海朗研光电科技有限公司 , 上海理工大学 , 华东师范大学
- Applicant Address: 重庆市渝北区金开大道西段106号11楼13层4室; ; ;
- Assignee: 华东师范大学重庆研究院,上海朗研光电科技有限公司,上海理工大学,华东师范大学
- Current Assignee: 华东师范大学重庆研究院,上海朗研光电科技有限公司,上海理工大学,华东师范大学
- Current Assignee Address: 重庆市渝北区金开大道西段106号11楼13层4室; ; ;
- Agency: 重庆华科专利事务所
- Agent 康海燕
- Main IPC: G02B6/125
- IPC: G02B6/125 ; G02B6/13
Abstract:
本发明公开一种三通道硅基分束器芯片，包括一个输入波导、三个输出波导和设置在所述输入波导和所述输出波导之间的耦合区；所述耦合区为正方形；所述输入波导和所述输出波导的宽度相等,所述宽度为K：490nm
Public/Granted literature
- CN110646883A 一种三通硅基分束器芯片及其制造方法 Public/Granted day:2020-01-03
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