Invention Grant
- Patent Title: 聚变装置以及中子发生器
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Application No.: CN201811653433.1Application Date: 2018-12-29
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Publication No.: CN111091917BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 王宏彬
- Applicant: 上海宏澎能源科技有限公司
- Applicant Address: 上海市宝山区盘古路388号5号楼三楼
- Assignee: 上海宏澎能源科技有限公司
- Current Assignee: 上海宏澎能源科技有限公司
- Current Assignee Address: 上海市宝山区盘古路388号5号楼三楼
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 马景辉
- Main IPC: G21B1/11
- IPC: G21B1/11 ; G21G4/02 ; H05H3/06
Abstract:
本公开涉及一种聚变装置和中子发生器。一种惯性静电约束型的聚变装置，包括：阴极电极结构，被构造成限定发生核聚变碰撞的空间；以及阳极电极结构，被构造成围绕所述阴极电极结构，其中所述阴极电极结构涂覆有第一涂层，该第一涂层用于增强所述阴极电极结构的热发射率。
Public/Granted literature
- CN111091917A 聚变装置以及中子发生器 Public/Granted day:2020-05-01
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