Invention Grant
- Patent Title: 一种基于低温等离子体的止血消杀微系统及其方法
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Application No.: CN202010424996.4Application Date: 2020-05-19
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Publication No.: CN111568530BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 孙毅 , 娄文忠 , 冯恒振 , 郑学均 , 赵悦岑
- Applicant: 北京理工大学
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Agency: 北京万象新悦知识产权代理有限公司
- Agent 王岩
- Main IPC: A61B18/02
- IPC: A61B18/02

Abstract:
本发明公开了一种基于低温等离子体的止血消杀微系统及其方法。本发明采用半导体桥阵列,每一个半导体桥采用高掺杂的低阻多晶硅的硅桥,能够根据创伤的面积大小和形状的不同,设定需要使用的半导体桥的数量和位置,并通过控制电路对半导体桥的硅桥施加电压,由电离作用形成等离子体作用于创面,不仅快速止血凝血,并且等离子体中的带电粒子和氧粒子还对创面进行杀菌消毒;本发明应用在应急环境下的基于半导体桥的低温等离子体止血消杀微系统,具有快速精准止血消杀,无附带损伤等优势;同时,使用半导体桥脉冲放电产生等离子体可以实现低电压驱动,减小了功耗,此外半导体桥柔性阵列可以实现异形伤口的治疗,提高了系统工作安全性与可靠性。
Public/Granted literature
- CN111568530A 一种基于低温等离子体的止血消杀微系统及其方法 Public/Granted day:2020-08-25
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