Invention Publication
- Patent Title: 基于能量吸收电路的SiC固态功率控制器及其控制方法
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Application No.: CN202010591031.4Application Date: 2020-06-24
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Publication No.: CN111900963APublication Date: 2020-11-06
- Inventor: 嵇保健 , 赵志宏 , 江驰 , 吴佳衡
- Applicant: 南京理工大学
- Applicant Address: 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号
- Assignee: 南京理工大学
- Current Assignee: 南京理工大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号
- Agency: 南京理工大学专利中心
- Agent 薛云燕
- Main IPC: H03K17/08
- IPC: H03K17/08 ; H03K17/081 ; H03K17/16 ; H03K17/04 ; H03K17/041

Abstract:
本发明公开了一种基于能量吸收电路的SiC固态功率控制器及其控制方法。该控制器包括能量吸收电路和SiC固态功率控制器SSPC,能量吸收电路包括线路等效寄生电感、第一~第二储能电容、第一~第二功率开关管、第一~第二功率二极管和滤波电容。方法为:在SSPC开通时,开通第一功率开关管,同时第一功率二极管导通,线路中寄生电感产生的能量一边给第一储能电容充电,一边向机内电源传递;SSPC稳定后,关断第一功率开关管,开通第二功率开关管,第二储能电容开始充电,线路中寄生电感产生的能量一边给第二储能电容充电,一边向机内电源传递;能量释放完后关断SSPC。本发明降低了开关管的开关损耗,提高了开关速度,节约了电能。
Public/Granted literature
- CN111900963B 基于能量吸收电路的SiC固态功率控制器及其控制方法 Public/Granted day:2022-09-20
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