本发明涉及一种多弧源装置和真空镀膜设备。该多弧源装置包括基座，具有容纳腔以及与容纳腔相连通的开口，开口用于设置靶材，容纳腔的内部沿中心至外沿包括内环区与外环区，内环区与外环区之间具有间隙；至少两个第一磁力发生组件间隔设置于内环区；至少两个第二磁力发生组件间隔设置于外环区，第二磁力发生组件产生的磁极与第一磁力发生组件产生的磁极相反。第一磁力发生组件与第二磁力发生组件之间产生闭合的磁场，相邻的第一磁力发生组件之间以及相邻的第二发生装置之间均产生开放的磁场，使得位于复合磁场的靶材在通电点燃后，镀膜微粒可以在较大范围的磁场作用下进行运动，提高镀膜微粒的运动范围，从而提高靶材的利用率。