Invention Publication
- Patent Title: 一种集成电路版图电流密度超标区域优化方法及系统
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Application No.: CN202210161463.0Application Date: 2022-02-22
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Publication No.: CN114357941APublication Date: 2022-04-15
- Inventor: 王芬
- Applicant: 北京智芯仿真科技有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区农大南路1号院5号楼306室
- Assignee: 北京智芯仿真科技有限公司
- Current Assignee: 北京智芯仿真科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区农大南路1号院5号楼306室
- Agency: 北京星通盈泰知识产权代理有限公司
- Agent 李筱
- Main IPC: G06F30/398
- IPC: G06F30/398 ; G06F30/392 ; G06F30/23 ; G06F115/12

Abstract:
本申请公开了一种集成电路版图电流密度超标区域优化方法及系统,属于集成电路优化设计领域,主要包括:基于集成电路版图电流密度超标区域的精确标定,根据所述标定区域的分布规律提出两类电流密度超标区域;针对第一类超标区域,基于剖分的网格单元采用邻居扩充法在同层增大超标区域的面积,在同层可扩充的面积不够的情况下找到有多余空间的层并在该层对应位置采用单元搜索与邻居扩充法增加版图多边形面积的方法优化电路;针对第二类超标区域,采用在过孔V周围均匀布置新过孔的方法优化电路;本申请实现了集成电路版图中两类电流密度超标区域划分和所述超标区域的针对性优化。
Public/Granted literature
- CN114357941B 一种集成电路版图电流密度超标区域优化方法及系统 Public/Granted day:2022-09-23
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