一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一器件区和第二器件区，第一器件区包括沟道区、位于沟道区两侧的预设区域以及环绕沟道区和预设区域的阱区接触区；第一隔离结构，位于预设区域与阱区接触区之间、以及阱区接触区与相邻第二器件区之间的基底内；多晶硅栅极，覆盖沟道区；第一源漏掺杂区，位于多晶硅栅极两侧的预设区域内；金属栅极，位于第二器件区的基底上；支撑结构，位于第一隔离结构的顶部；层间介质层，覆盖多晶硅栅极、金属栅极和支撑结构的侧壁。支撑结构能够改善第一隔离结构上方的层间介质层顶面凹陷问题，防止形成层间介质层和金属栅极的平坦化处理过程中接触第一源漏掺杂区及阱区接触区，提升半导体结构的性能。