Invention Grant
- Patent Title: 射频芯片测试方法及测试系统
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Application No.: CN202211203707.3Application Date: 2022-09-29
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Publication No.: CN115549815BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 王祖德 , 盛伯瑶
- Applicant: 加特兰微电子科技(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区盛夏路666号E幢702室
- Assignee: 加特兰微电子科技(上海)有限公司
- Current Assignee: 加特兰微电子科技(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区盛夏路666号E幢702室
- Agency: 北京安信方达知识产权代理有限公司
- Agent 解婷婷; 李丹
- Main IPC: H04B17/10
- IPC: H04B17/10 ; H04B17/11 ; H04B17/21
Abstract:
本公开实施例提供了一种射频芯片测试方法及测试系统，所述射频芯片测试方法，包括：在测试通路中设置用于对待测射频芯片发射或接收的射频信号进行补偿的可调电路；为所述可调电路配置调节信息，根据所述调节信息调整所述可调电路的电路参数，所述调节信息根据测试环境设置以使所述可调电路对所述测试通路上的射频信号进行补偿；所述可调电路调整完成后，将所述待测射频芯片与调整好的所述测试通路连接并进行测试。
Public/Granted literature
- CN115549815A 射频芯片测试方法及测试系统 Public/Granted day:2022-12-30
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