Invention Grant
- Patent Title: 半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统
-
Application No.: CN202211254821.9Application Date: 2022-10-13
-
Publication No.: CN115684084BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 刘悦 , 赵玉垚 , 马有草 , 王浩沣
- Applicant: 昇澜半导体(常州)有限公司
- Applicant Address: 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区西湖路1号众创服务中心A座四层415室24号工位
- Assignee: 昇澜半导体(常州)有限公司
- Current Assignee: 昇澜半导体(常州)有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区西湖路1号众创服务中心A座四层415室24号工位
- Agency: 常州明和诚知识产权代理事务所
- Agent 陈红桥
- Main IPC: G01N21/41
- IPC: G01N21/41 ; G01N21/84 ; G01N21/01 ; G01D21/02 ; G01B11/255

Abstract:
本发明提供一种半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统,待测样品包括基底及设置在所述基底表面的半导体薄膜,所述方法包括:入射光以设定入射角入射至所述待测样品表面的测量点,获得所述测量点在设定波长或设定波长范围内的光学参数,所述光学参数包括所述半导体薄膜的折射率及消光系数和/或待测样品的曲率半径;以所述待测样品的光学参数作为已知参数,应用物理模型获得所述半导体薄膜的测量参数,所述测量参数包括半导体薄膜的相对介电常数、压电系数、厚度及应力;重复上述步骤,获得多个测量点的所述测量参数;对多个测量点的同一所述测量参数进行均匀性评价。本发明方法能够实现无损测量,且获得的测量参数不单一,满足多样化需求。
Public/Granted literature
- CN115684084A 半导体薄膜均匀性无损检测方法及系统 Public/Granted day:2023-02-03
Information query