Invention Grant
- Patent Title: 减反膜及其制备方法
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Application No.: CN202211504467.0Application Date: 2022-11-28
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Publication No.: CN115793111BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 孙承啸
- Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
- Assignee: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- Current Assignee: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
- Agency: 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- Agent 杨瑞
- Main IPC: G02B1/118
- IPC: G02B1/118 ; G02B1/11 ; G02F1/1335
Abstract:
本申请实施例公开了一种减反膜及其制备方法，该减反膜包括基底、微结构层，微结构层设置于基底上，微结构层包括多个相互间隔设置的微结构，相邻微结构之间设置有凹孔，其中，凹孔的孔径及深度的范围为20nm至300nm；通过将凹孔的孔径及深度均设置为小于光波长，使光波无法识别微结构，于是折射率沿微结构垂直方向呈现梯度变化，形成折射率过渡层，从而减少折射率急剧变化所造成的反射现象，缓解了现有显示装置存在环境对比度低的技术问题。
Public/Granted literature
- CN115793111A 减反膜及其制备方法 Public/Granted day:2023-03-14
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