Invention Publication
- Patent Title: 一种全氟己烷中碳同位素丰度分析方法及分析系统
-
Application No.: CN202211731200.5Application Date: 2022-12-30
-
Publication No.: CN116256418APublication Date: 2023-06-13
- Inventor: 顾志勇 , 吴重钧 , 陈俊哲 , 刘洋 , 吴文娟
- Applicant: 核工业理化工程研究院
- Applicant Address: 天津市河东区津塘路168号
- Assignee: 核工业理化工程研究院
- Current Assignee: 核工业理化工程研究院
- Current Assignee Address: 天津市河东区津塘路168号
- Agency: 天津创智睿诚知识产权代理有限公司
- Agent 李玲
- Main IPC: G01N27/62
- IPC: G01N27/62

Abstract:
本发明公开了一种全氟己烷中碳同位素丰度分析方法,包括以下步骤:S1:建立七种分子量C6F14分子的摩尔丰度计算模型;S2:利用质谱分析系统测量得到CF3基团中C‑12同位素的摩尔丰度Cm;S3:将S2测量得到的Cm代入七种分子量C6F14分子的摩尔丰度计算模型,获得七种分子量的的C6F14分子的摩尔丰度。该分析方法通过现有质谱系统分析得到CF3离子中碳同位素丰度,利用古典概型理论,得到CF3离子中碳同位素丰度与全氟己烷中碳同位素丰度的关系,再利用二项分布理论,实现全氟己烷同素异形体分子丰度计算。
Public/Granted literature
- CN116256418B 一种全氟己烷中碳同位素丰度分析方法及分析系统 Public/Granted day:2025-04-29
Information query