本发明涉及半导体清洗技术领域，包括以下重量份的组分：表面活性剂10%‑16%；三乙醇胺0.1%‑0.2%；苯甲酸钠2%‑5%；磷酸盐4%‑8%；硅酸钠3%‑6%；氢氧化钠0.5%‑1%；油酸0.3%‑0.5%；油醇0.5%‑0.8%；乙醇0.6%‑1%；余量为水，本发明公开了一种用于半导体材料的金属离子清洗剂，本发明清洗剂形成混合均相体系，使得这个清洗剂去污去油能力强，通过清洗剂中多种物质的协同效应和互补效应，清洗后的零件表面光滑，渗透力腔，湿润性好，工艺周期短，化学试剂量小、清洗液浓度低容易冲洗干净，环保性较高。