Invention Grant
- Patent Title: 一种清洁方法
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Application No.: CN202311764326.7Application Date: 2023-12-20
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Publication No.: CN117737695BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 廖家豪 , 窦坤鹏 , 柴攀 , 万强
- Applicant: 湖南德智新材料股份有限公司
- Applicant Address: 湖南省株洲市天元区金马路156号湖南德智半导体产业园1号厂房
- Assignee: 湖南德智新材料股份有限公司
- Current Assignee: 湖南德智新材料股份有限公司
- Current Assignee Address: 湖南省株洲市天元区金马路156号湖南德智半导体产业园1号厂房
- Agency: 北京布瑞知识产权代理有限公司
- Agent 殷淑超
- Main IPC: C23C16/44
- IPC: C23C16/44 ; C30B25/02 ; B08B7/00
Abstract:
本发明涉及碳化硅清洁领域，提供了一种清洁方法，该方法包括使用清洁气体清洁位于基材表面的含碳化硅的堆积物；所述基材包括位于基底表面的热解碳涂层；所述热解碳涂层由聚酰亚胺和纳米微晶纤维素热解得到；所述清洁气体为三氟化氯。通过该方法能够使得碳化硅薄膜或颗粒从热解碳表面脱落，实现CVD反应器的清洁，同时，能够减少三氟化氯对反应器和基底的腐蚀，提高反应器的使用寿命。
Public/Granted literature
- CN117737695A 一种清洁方法 Public/Granted day:2024-03-22
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IPC分类:
